Samsung на FMS 2026: zHBM над ускорителем, V10 BV-NAND с 400+ слоями и HBM4E в серии

На ежегодной конференции Flash Memory Summit 2026 в Санта-Кларе Samsung Electronics продемонстрировала полный спектр разработок — от концептуальных прототипов до уже серийных решений. Главные анонсы касаются фундаментальной смены архитектуры: память начинает переезжать вертикально прямо на вычислительные кристаллы, а флеш-накоповители преодолели рубеж в 400 слоёв за счёт технологии склейки пластин.

zHBM: память переезжает поверх ускорителя

Ключевая новинка стенда — концепт zHBM (zero-gap HBM). В текущих системах стопки высокопропускной памяти HBM размещаются по бокам от графического или тензорного процессора на общей подложке, и данные проходят горизонтальные трассы. Samsung предлагает поставить память вертикально, сразу над вычислительным кристаллом. Это сокращает длину путей передачи, снижает задержки и энергию на бит.

Важный архитектурный нюанс: между памятью и ускорителем оставляется промежуточный слой, который заказчик может заполнить собственной логикой. Таким образом, интегратор получает возможность встраивать специфические блоки управления или предобработки данных прямо внутри 3D-стопки, не увеличивая площадь чипа.

Восьмикратный прирост производительности — пока только в слайдах

Samsung приводит сравнительные цифры относительно будущего стандарта HBM5, который сам ещё не вступил в серию:

• пропускная способность интерфейса — примерно в 8 раз выше;
• плотность памяти — более чем в 10 раз;
• энергоэффективность — улучшение в 3 раза;
• тепловое сопротивление — снижение вдвое.

Все параметры получены на концепт-модели. Даты начала массового производства, названия партнёров по ускорителям и готовых дизайнов (reference designs) компания не называет. На данный момент это технологическая демонстрация, а не товарныйSKU.

V10 BV-NAND: первый в отрасли 400-слойный 3D NAND

От концептов к железу — флеш-память десятого поколения V-NAND (V10) использует технологию BV (Bonding Vertical): ячейки набираются склейкой отдельно изготовленных пластин (wafer-to-wafer bonding), а не последовательным наращиванием слоёв на одной подложке. Это позволило преодолеть барьер в 400 активных слоёв.

По сравнению с предыдущим поколением V9 (280–300 слоёв) плотность хранения выросла примерно на 58%. Параллельно улучшились скорости чтения, записи и ввода-вывода. Символично: первую V-NAND Samsung показала на этой же конференции в 2013 году — через тринадцать лет принцип вертикального набора слоёв кардинально изменился.

zNAND-O: память для вычислений на краю сети

Рядом с V10 была представлена линейка zNAND-O в четырёх- и восьмислойных версиях. Она ориентирована на устройства edge computing — сценарии, когда данные обрабатываются локально, без отправки в облако или дата-центр. Такая архитектура снижает задержки и трафик магистральных каналов, что критично для промышленного IoT, автомобильных систем и автономной робототехники.

Что уже уходит клиентам в серии

На фоне далеких перспектив zHBM выглядят конкретные поставки:

• HBM4 на базе 1c-DRAM — в серийном производстве с февраля 2026 года;
• образцы HBM4E (расширенная версия со скоростью до 9,6 Гбит/с на пин) — рассылаются ключевым заказчикам с мая, Samsung первая на рынке;
• LPDDR5X-PIM — первая мобильная память с встроенными вычислительными блоками (Processing-in-Memory), часть операций выполняется внутри микросхемы без пересылки в SoC;
• серверные SSD PM1763 (PCIe 5.0, чтение до 14 ГБ/с) и BM1773 (E3.S, для высокоплотных систем).

Главный вопрос — сроки коммерциализации

Пропускная способность памяти давно стала главным узким местом ИИ-кластеров: ускорители простаивают в ожидании данных. Вертикальная интеграция zHBM бьёт точно в эту проблему, и направление выглядит естественным продолжением эволюции упаковки (advanced packaging) последних лет. Однако без объявленного года запуска и именного партнёра по чипам-ускорителям восьмикратный прирост остаётся конференинной иллюстрацией. Рынок будет ждать конкретного roadmap — и, скорее всего, первых демонстрационных систем у гиперскейлеров — прежде чем считать zHBM готовой к внедрению технологией.

Итог: Samsung на FMS 2026 показала, куда движется отрасль — к полной 3D-интеграции памяти и логики. V10 BV-NAND с 400+ слоями уже есть в железе, HBM4E уходит в семплирование, а zHBM задаёт вектор на ближайшие 3–5 лет. Для инженеров и архитекторов дата-центров сигнал понятен: проектировать нужно под вертикальные стопки с встроенной логикой, а не под планарные подложки.